[实用新型]碳化硅MOSFET器件有效
| 申请号： | 202220017322.7 | 申请日： | 2022-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN217114399U | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 袁俊 | 申请（专利权）人： | 湖北九峰山实验室 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳化硅MOSFET器件，碳化硅MOSFET器件包括：外延片，包括：半导体基底；设置在基底表面的外延层；设置在外延层内的阱区、源区以及沟槽栅极；沟槽栅极包括位于外延层背离基底一侧表面内的沟槽；位于沟槽内的栅极；源区包围沟槽且与沟槽的侧壁接触；阱区包括：在基底指向源区方向上依次设置的第一层阱区、第二层阱区和第三层阱区；第三层阱区包围沟槽且与沟槽的侧壁接触；沟槽下方的外延层内具有掺杂区域，第一层阱区包围掺杂区域且与掺杂区域接触；第一层阱区与第三层阱区之间具有部分外延层，第二层阱区位于部分外延层的两侧；部分外延层内具有用于保护沟槽栅极底部的掩蔽层；掩蔽层位于沟槽的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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