[实用新型]一种用于硅外延工艺的气流控制装置有效
申请号: | 202220294038.4 | 申请日: | 2022-02-14 |
公开(公告)号: | CN217239399U | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 沈恒文;吉双平;刘彤辉;金修领;郝小峰;王伟康;程宣林 | 申请(专利权)人: | 江苏艾匹克半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 杭州寒武纪知识产权代理有限公司 33271 | 代理人: | 殷筛网 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及硅外延技术领域,且公开了一种用于硅外延工艺的气流控制装置,包括顶针,所述顶针的外部设置有调节机构,所述调节机构包括针筒、固定筒和弹簧,所述固定筒固定连接在针筒的表面,所述固定筒的表面开设有有喷射孔,所述固定筒的两侧设置有圆形通孔,所述顶针的底部为倾斜设置,所述顶针与固定筒滑动连接,所述弹簧固定连接在顶针和针筒之间,所述弹簧与针筒滑动连接,所述调节机构还包括千分尺微分头和连接杆,所述连接杆的底部与顶针连接,所述千分尺微分头与连接杆的顶部连接。一种用于硅外延工艺的气流控制装置,通过设置调节机构的作用,整个装置达到方便对气流的流量进行调节的作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 外延 工艺 气流 控制 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造