[实用新型]一种湿法蚀刻装置有效
| 申请号： | 202220484817.0 | 申请日： | 2022-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN216413009U | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 李瑞评;郑贤良;曾柏翔;张佳浩;林明顺 | 申请（专利权）人： | 福建晶安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/683;C30B33/10;B01F31/441;B01F35/90 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 362411 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件制造技术领域，提供了一种湿法蚀刻装置，湿法蚀刻装置的刻槽包括外槽及内槽，内槽设置在外槽中，内槽设置为上方开口的结构，用于容纳待蚀刻的衬底，并且内槽的上表面低于外槽的上表面，蚀刻过程中，外槽中的蚀刻溶液的液面低于内槽的上表面，内槽中充满蚀刻液，内槽内的蚀刻液自上方开口溢出至外槽，循环泵将外槽中的蚀刻溶液抽回至内槽，实现蚀刻液的循环流动，提升蚀刻液的均匀性，同时蚀刻溶液与衬底表面形成相对运动，降低纵向蚀刻与横向蚀刻的蚀刻速率差异。支撑结构设置为沿内槽的高度方向可上下移动，并且可以带动衬底360°旋转，使蚀刻溶液浓度分布均匀化及温场的均匀性，提升不同位置蚀刻的速率及性能均性化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
