[实用新型]半导体处理装置和半导体处理系统有效
| 申请号： | 202220659111.3 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN217691071U | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 温子瑛 | 申请（专利权）人： | 无锡华瑛微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306;H01L21/68 |
| 代理公司： | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体处理装置，其包括：具有支撑晶圆的第一支撑区的下腔室；具有第二支撑区的上腔室，其中当上腔室与下腔室闭合时，晶圆放置于第一支撑区和第二支撑区之间；紧邻所述上腔室和/或所述下腔室设置的温控组件，其通过调整自身的温度来调整所述上腔室和/或所述下腔室的温度；第一支撑区或第二支撑区的边缘区域形成的第一通道，第一通道提供第一空间用于流通腐蚀晶圆边缘区域的一种或多种化学流体；利用所述温控组件调整所述上腔室和/或所述下腔室的温度，从而调整所述晶圆的边缘的腐蚀宽度。这样，可以对所述晶圆的边缘的腐蚀宽度进行微调。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 装置 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
