[实用新型]半导体紫外单光子探测器有效
| 申请号： | 202220659446.5 | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN217980561U | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 张军;余超;刘乃乐;陈宇翱;潘建伟 | 申请（专利权）人： | 合肥国家实验室;中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00;G01J1/44;G01J1/46 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体紫外单光子探测器，涉及单光子探测技术领域。该半导体紫外单光子探测器包括碳化硅单光子雪崩光电二极管、读出电路、信号处理模块、温度控制模块、偏压模块和使能模块。其中，读出电路用于对碳化硅单光子雪崩光电二极管进行被动淬灭以形成负脉冲雪崩信号；信号处理模块用于将负脉冲雪崩信号滤波、放大、甄别，转化为数字信号输出；温度控制模块用于为读出电路提供稳定的温度；偏压模块用于为读出电路提供基于内外温差修正的直流偏置电压；使能模块用于屏蔽外界强光信号和设置死时间。本公开的半导体紫外单光子探测器具有体积小、易集成、性能稳定、工作条件温和、易于阵列拓展等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 紫外 光子 探测器 | ||
【主权项】：
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