[实用新型]一种防电源反接的芯片有效
| 申请号： | 202220780955.3 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN217086571U | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王春华 | 申请（专利权）人： | 南京沁恒微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210012 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种防电源反接的芯片，包括裸芯片及参考电位引脚，所述裸芯片包括P型衬底、参考电位PAD连接点及设置在P型衬底上的多叉指结构的NMOS；所述NMOS的源极与P型衬底电连接，所述NMOS的漏极与参考电位PAD连接点电连接；参考电位PAD连接点与参考电位引脚电连接。本实用新型具有防电源反接功能，保护芯片在电源反接时不被损坏，兼顾了ESD性能，嵌入式一体化结构，结构简单，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电源 反接 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
