[实用新型]具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 202220896489.5 | 申请日： | 2022-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN219040485U | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 时磊;吴健;樊航;宋璐瑶;许曙明 | 申请（专利权）人： | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 黎飞鸿;郑纯 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上海）自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管，包括具有第一导电类型的半导体衬底、在衬底上形成的具有第二导电类型的掺杂漂移区、在掺杂漂移区内形成的具有第一导电类型的体区域。具有第二导电类型的源极区域和漏极区域分别形成为靠近该体区域和掺杂漂移区的上表面，并相互横向隔开。第一绝缘层形成于该体区域和掺杂漂移区上。包含多个栅极段的栅极区域形成于该第一绝缘层上。每个栅极段通过布置在相邻栅极段之间的第二层绝缘层彼此横向隔开。相邻栅极段之间的间距控制为第二绝缘层厚度的因变量，且第一和第二绝缘层的厚度被独立地控制。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 高频 性能 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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