[实用新型]双栅晶体管存储单元及存储器有效
申请号: | 202220939684.1 | 申请日: | 2022-04-20 |
公开(公告)号: | CN217544163U | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 李毅达;周冰;程振;林龙扬;张国飙;沈美;朱泉舟 | 申请(专利权)人: | 南方科技大学 |
主分类号: | G11C11/22 | 分类号: | G11C11/22 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 朱阳波 |
地址: | 518055 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了双栅晶体管存储单元及存储器,其中,双栅晶体管存储单元包括:第一栅极;第一介电层,设置在所述第一栅极的顶面;沟道层,设置在所述第一介电层的顶面;源极与漏极,所述源极与所述漏极设置在所述第一介电层的顶面并位于所述沟道层两侧;其中,所述第一介电层包括铁电层,所述铁电层位于所述源极与所述漏极的底面;第二介电层,设置在所述沟道层的顶面;第二栅极,设置在所述第二介电层的顶面。本实用新型采用一个晶体管作为存储单元,消除了存储电容限制存储单元缩小面积的缺陷,使得铁电存储器可以很好的应用在三维集成技术中。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】:
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