[实用新型]一种低栅漏电容梯型栅沟槽型的功率器件有效
| 申请号： | 202220963616.9 | 申请日： | 2022-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN217485454U | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 张瑜洁;张长沙;何佳;李佳帅 | 申请（专利权）人： | 浏阳泰科天润半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 410300 湖南省长沙市浏阳高新技*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种低栅漏电容梯型栅沟槽型的功率器件，包括：碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层上设有一掩蔽层；夹断区，所述夹断区底部连接至所述漂移层，所述夹断区内设有源区；梯形槽，所述梯形槽上宽下窄，所述梯形槽底部设于所述漂移层上，且连接至所述掩蔽层，所述梯形槽穿过所述夹断区，所述梯形槽内设有栅极绝缘层；栅极，所述栅极连接至所述栅极绝缘层；源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区顶部以及夹断区顶部；栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅极；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面；将功率器件的栅电容进行减少，从而提高器件的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 漏电 容梯型栅 沟槽 功率 器件 | ||
【主权项】：
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