[实用新型]一种LED外延片有效
| 申请号： | 202221042111.5 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN217544639U | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 王文君;江汉;黎国昌;徐洋洋;程虎;苑树伟 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;C30B25/02;C30B25/18;C30B29/40;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本申请提供一种LED外延片，LED外延片的N型GaN层包括N_SL层和N_Bulk层。N_SL层包括第一N_SL层和第二N_SL层，第一N_SL层和第二N_SL层从下至上依次循环设置，N_Bulk层包括第一N_Bulk层和第二N_Bulk层。N_SL层和N_Bulk层等效形成多个电容结构，不同浓度的硅掺杂度增强电流扩散，提升LED外延片的抗静电能力。N_SL层和N_Bulk层结构设置降低生长量子阱发光层位错密度，提升量子阱发光层晶格质量。本申请提供的LED外延片在制造过程中，MOCVD设备的SiH |
||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚灿光电科技股份有限公司，未经聚灿光电科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202221042111.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种大电流连接器
- 下一篇：一种可多工位转换的移动式铣边机
