[实用新型]高亮度半导体发光器件有效
| 申请号： | 202221232149.9 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN219040499U | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 曹斌斌;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高亮度半导体发光器件，包括具有第一表面和第二表面的基板、外延层以及复合反射层组，第二半导体层远离多量子阱层的一表面上设有电流阻挡层以及用于包覆电流阻挡层的透明导电层，电流阻挡层正上方的透明导电层上设有与其电连接的第二导电电极，外延层上设有至少一个贯穿多量子阱层以及第二半导体层的凹槽，每个凹槽内的第一半导体层上均设有与其电连接的第一导电电极；第一通孔和第二通孔内分别设有延伸至复合反射层组表面的第一导电焊盘和第二导电焊盘，第一导电焊盘和第二导电焊盘之间设有间隙。本实用新型提出的高亮度半导体发光器件，能够提高产品的发光效率和出光效率，以提升半导体发光器件的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
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