[实用新型]一种基台升降组件和生长设备有效
申请号: | 202221796223.X | 申请日: | 2022-07-11 |
公开(公告)号: | CN217973393U | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 叶钢飞;阮文星;叶雷江;彭天帅;王超杰;朱亮 | 申请(专利权)人: | 浙江晶盛机电股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/511 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 312300 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型实施例提供了一种基台升降组件和生长设备,属于微波等离子体气相沉积相关技术领域,作用于与反应腔滑动连接的基台组件,所述升降组件包括:第一升降机构,所述第一升降机构连接所述基台组件,所述第一升降机构带动所述基台组件在所述反应腔中升降;载板组件,所述载板组件的第一端连接所述第一升降机构,所述载板组件的第二端连接所述基台组件,所述载板组件可带动所述基台组件相对于所述第一升降机构移出;达到便于在基台上放置基片或者取晶的技术效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 升降 组件 生长 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的