[实用新型]一种高稳定性氧化物TFT结构有效
| 申请号： | 202222361849.4 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN218568843U | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 陈宇怀 | 申请（专利权）人： | 华映科技（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45 |
| 代理公司： | 福州市京华专利代理事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林云娇 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高稳定性氧化物TFT结构，其基板上设有第一金属层，第一金属层包括栅极和栅极驱动线；第一金属层之上设有第一绝缘层；第一绝缘层之上设有有源层，有源层之上设置第二金属层，第二金属层包括源极、漏极，源极包括相互连接的第一中间导电层和源极金属层，漏极包括相互连接的第二中间导电层和漏极金属层；源极金属层通过第一中间导电层与有源层一端连接，漏极金属层通过第二中间导电层与有源层另一端连接；源极金属层和漏极金属层属于同一金属层，第一中间导电层和第二中间导电层属于同一金属层。本实用新型通过结构优化以减少源漏极金属离子对沟道区的扩散效果，同时氧化物TFT有源层沟道上下界面间的薄膜应力差异，从而提高器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定性 氧化物 tft 结构 | ||
【主权项】：
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