[实用新型]一种TWS耳机霍尔开关抗磁干扰结构有效
| 申请号： | 202222422752.X | 申请日： | 2022-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN218499251U | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 蒲承刚 | 申请（专利权）人： | 东莞市博思拓实业有限公司;广西宏拓智联电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R1/10 | 分类号： | H04R1/10 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 殷齐齐 |
| 地址： | 523000 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种TWS耳机霍尔开关抗磁干扰结构，该结构包括：充电盒第一磁铁、充电盒第二磁铁、第一耳机磁铁和第二耳机磁铁，充电盒第一磁铁和充电盒第二磁铁设置在充电盒底盖和充电盒中框之间，充电盒第二磁铁与充电盒第一磁铁磁性相反布置；第一耳机磁铁、第二耳机磁铁分别设置在第一耳机、第二耳机内，第一耳机磁铁与充电盒第一磁铁磁性相吸，第二耳机磁铁与充电盒第二磁铁磁性相吸，霍尔开关位于充电盒两个磁铁和两个耳机两个磁铁中线位置。该结构优点在于，解决了充电盒内磁铁和耳机内磁铁对霍尔开关的磁性干扰问题，避免了充电盒滑盖未关闭时，霍尔开关误触发导致充电盒电路板给耳机内电池充电，同时也解决了左右耳机装错到不同仓内问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tws 耳机 霍尔 开关 干扰 结构 | ||
【主权项】：
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