[实用新型]外延片有效
| 申请号： | 202222438844.7 | 申请日： | 2022-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN218414586U | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 苏军 | 申请（专利权）人： | 远山新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/205 | 分类号： | H01L29/205;H01L29/778;H01L21/02;C30B29/40;C30B29/68;C30B25/18 |
| 代理公司： | 济宁汇景知识产权代理事务所(普通合伙) 37254 | 代理人： | 葛玉彬 |
| 地址： | 272100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开外延片，属于GaN基HEMT外延片技术领域，其中外延片包括蓝宝石衬底层以及依次设置在所述蓝宝石衬底层上的AlN薄膜层、低温AlN层、高温AlN层、不掺杂GaN层、AlN层和AlGaN层，其中所述AlN层的厚度为1nm～2nm，其中所述AlGaN层的厚度为15nm～25nm。本申请提供的外延片及其生长方法能够有效提升GaN晶体质量，增加GaN表面的平整度，从而增强AlGaN和GaN间的极化效应和减少界面散射，达到增加二维电子气浓度和迁移率，实现降低导通电阻的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于远山新材料科技有限公司，未经远山新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202222438844.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
