[实用新型]一种化学气相沉积用气体分布装置有效
申请号: | 202222688921.4 | 申请日: | 2022-10-12 |
公开(公告)号: | CN218262740U | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 李爽;丁阳;蔡村;孙彪;韦德远;辛毓 | 申请(专利权)人: | 活石半导体(北京)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京新中汇知识产权代理事务所(普通合伙) 16069 | 代理人: | 文信家 |
地址: | 100000 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及气体分布技术领域,具体为一种化学气相沉积用气体分布装置,包括分布装置主体,所述气体分布装置主体包括设备外壳,所述设备外壳的顶端外表面连接有泄压组件,所述设备外壳的内部连接有分布组件主体,所述设备外壳的内部连接有封盖,且封盖的内部连接有扶持组件,所述设备外壳的内壁连接有出气槽;所述扶持组件包括第一抵板、缓冲气囊、第一支撑杆、第一卡杆、出气槽。该化学气相沉积用气体分布装置,通过设置扶持组件,可有效方便沉积盘进行固定,减少气流冲击沉积盘时所产生的晃动,且该装置通过设置泄压组件,可有效通过气体冲击第一撑杆,使部分高压气体从设备外壳的内部排出,以增加泄压效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 化学 沉积 气体 分布 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于活石半导体(北京)有限公司,未经活石半导体(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202222688921.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种文件柜
- 下一篇:一种新型自控式蒸馏釜
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的