[实用新型]高密封电力半导体功率器件有效
| 申请号： | 202222974369.5 | 申请日： | 2022-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN218677123U | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 陈勇虎;施勇 | 申请（专利权）人： | 缙云县亿芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京众允专利代理有限公司 11803 | 代理人： | 王景禾 |
| 地址： | 321400 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高密封电力半导体功率器件。其技术要点是：上压板、半导体芯片、下底板，所述半导体芯片位于上压板与下底板之间，所述上压板、半导体芯片外设有白胶层，所述白胶层外侧设有密封套，本实用新型能够提高二极管芯片的密封效果，在后续使用高密封电力半导体功率器件制造电子模块时，不需要进行密封处理，提高封装效率。 | ||
| 搜索关键词： | 密封 电力 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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