[实用新型]基于MEMS技术的真空传感器有效

专利信息
申请号: 202223259940.1 申请日: 2022-12-05
公开(公告)号: CN218584258U 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 林钟伟;刘伟;李卢;谢立坚;成启通 申请(专利权)人: 博思发科技(深圳)有限公司
主分类号: G01L21/00 分类号: G01L21/00
代理公司: 深圳华屹智林知识产权代理事务所(普通合伙) 44785 代理人: 陈建
地址: 518049 广东省深圳市福田区梅林街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型实施例提供一种基于MEMS技术的真空传感器,包括:MEMS前端电路、电源电路和数据处理电路;MEMS前端电路用于感测被测环境中的真空度,当被测环境的真空度发生变化时,MEMS前端电路能够产生电信号差异,并检测到单端信号;MEMS前端电路包括传感器芯片,传感器芯片包括第一热电偶和加热器;加热器包括第一加热端子和第二加热端子;第一加热端子连接第一电压输出端;第二加热端子接地;第一热电偶的正极和第一热电偶的负极连接微控制器;数据处理电路用于对单端信号进行处理,得到目标真空度值,数据处理电路包括微控制器;电源电路用于为MEMS前端电路和数据处理电路供电,能够实现更快、更可靠地检测环境的真空度,具有体积小,功耗低,成本低,可靠性高的优点。
搜索关键词: 基于 mems 技术 真空 传感器
【主权项】:
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