[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202280002368.4 | 申请日： | 2022-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN115244708A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 董志文;赵起越;程绍鹏 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/778;H01L27/07;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 215211 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开的一些实施例提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底；第一氮化物半导体层，其在所述衬底上；第二氮化物半导体层，其在所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙；电介质层，其安置在所述第一氮化物半导体层上并且与所述第一氮化物半导体层及所述第二氮化物半导体直接接触；栅极电极，其通过所述电介质层与所述第一氮化物半导体层及所述第二氮化物半导体分离；第一导电触点，其安置在所述第一氮化物半导体层上；及第二导电触点，其安置在所述第二氮化物半导体层上；其中所述第二导电触点形成在所述栅极电极与所述第一导电触点之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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