[发明专利]一种晶体管、半导体集成电路在审
| 申请号： | 202280006653.3 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN116762178A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王学雯;李泠霏;吴颖;许俊豪 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 刘茹 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种晶体管、包含该晶体管的半导体集成电路。涉及半导体技术领域。主要目的是为了提供一种可以实现低能耗、小尺寸的晶体管结构。该晶体管包括：源极、漏极和沟道，以及栅极，并且，由半导体材料形成的沟道设置在源极和漏极之间，栅极堆叠在沟道的至少部分表面上，也就是说，这里的晶体管属于一种三端子半导体器件。除此之外，该晶体管还包括应力层和用于给应力层施加电压的应力栅极，且源极和漏极的至少部分表面上堆叠有应力层，应力控制栅层堆叠在应力层上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司，未经华为技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202280006653.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
