[发明专利]半导体元件和半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 202280009609.8 | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN116762179A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 门胁拓也;川添忠 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/34 | 分类号： | H01L33/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 韩锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 追求着利用饰缀态光子工作的新的半导体元件及其制造方法。半导体元件的制造方法包括：准备半导体层叠体的工序，所述半导体层叠体具备硅基板和在所述硅基板上设置的硅半导体层，所述硅基板以第一浓度具有第一导电型的第一杂质，所述硅半导体层包括以比所述第一浓度低的第二浓度具有所述第一导电型的第二杂质的第一硅半导体层和具有第二导电型的第三杂质的第二硅半导体层，所述第一导电型是p型和n型的一方，所述第二导电型是p型和n型的另一方；一边使顺向电流向所述硅半导体层流动一边以具有规定的峰值波长的光照射所述硅半导体层而使所述第三杂质扩散的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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