[发明专利]石墨烯的低温等离子体增强化学气相沉积的方法与设备在审
| 申请号： | 202280012909.1 | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN116848618A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡泰正;克里斯蒂安·巴伦西亚;王赤矿;贝纳切克·梅巴克;哈恩·阮;菲利普·艾伦·克劳斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本文公开的实施方式包括用于沉积石墨烯层的方法和设备。在一个实施方式中，一种在基板上沉积石墨烯层的方法包含：在模块化微波等离子体腔室之内提供基板，并且将碳源和氢源流入模块化微波等离子体腔室中。在一个实施方式中，方法进一步包含在模块化微波等离子体腔室中触发等离子体，其中基板温度低于约400℃，并且在基板上沉积石墨烯层。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 低温 等离子体 增强 化学 沉积 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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