[发明专利]具有波状沟道的MOSFET器件在审
| 申请号： | 202280014999.8 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN116848640A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | K·曹;李峯龙;朴庆锡;崔杜溱;T·奈尔;金奇玟 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 任超 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 描述了一种具有交替p阱宽度(116a,118a)的包括波状沟道(110,110a,110b)的SiC MOSFET器件。该波状沟道(110,110a,110b)提供多个宽度的电流路径，这使得能够优化导通电阻、跨导、阈值电压和沟道长度。多宽度p阱区进一步限定对应的多宽度结型FET(JFET)(112a,112b)。这些多宽度JFET(112a,112b)使得能够改进对短路事件的响应。通过将第一宽度的JFET(112a)中的高电场分布到第二宽度的JFET(112b)中来获得高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 波状 沟道 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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