[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法在审
| 申请号： | 202280016890.8 | 申请日： | 2022-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN116941338A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 罗双强;王东;张瑞;邢达;李晓;张佩琼;曾皛 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一些实施例包含一种组合件，其具有沿着存储器阵列区及接近所述存储器阵列区的另一区内的层阶分布的导电结构。所述导电结构包含含金属区之上的第一堆叠。半导体材料在所述第一堆叠内。第二堆叠在所述导电结构之上且包含交替导电层级及绝缘层级。单元材料柱在所述存储器阵列区内。所述单元材料柱包含通道材料。所述半导体材料直接接触所述通道材料。导电柱结构在所述另一区内。所述导电柱结构中的一些是虚设结构且具有完全沿着绝缘氧化物材料的底面。所述导电柱结构中的其它者是与CMOS电路系统电耦合的带电柱。一些实施例包含形成组合件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 组合 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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