[发明专利]层叠基板的制造方法和基板处理装置在审
| 申请号： | 202280018447.4 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN116941013A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 山下阳平;沟本康隆;田之上隼斗 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 层叠基板的制造方法包括下述(A)～(D)。(A)，在第一半导体基板的表面形成包含氧化层的接合层。(B)，使所述接合层的所述氧化层与第二半导体基板接触，并藉由所述接合层将所述第一半导体基板与所述第二半导体基板进行接合。(C)，在进行所述接合之后，通过激光光线来在将所述第一半导体基板沿厚度方向进行分割的预定的第一分割预定面形成改性层。(D)，通过以形成于所述第一分割预定面的改性层为起点将所述第一半导体基板进行分割，来使藉由所述接合层而与所述第二半导体基板进行了接合的所述第一半导体基板薄化。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 制造 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202280018447.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
