[发明专利]射频前端模组及其制作方法、通讯装置在审
申请号: | 202280018650.1 | 申请日: | 2022-09-29 |
公开(公告)号: | CN116941021A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 翁国军;王晓龙 | 申请(专利权)人: | 深圳新声半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈家乐 |
地址: | 518049 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种射频前端模组及其制作方法和通讯装置。该射频前端模组包括第一功能基板、第二功能基板和第一射频前端组件;第一功能基板包括第一衬底基板和金属键合结构;第二功能基板包括第二衬底基板、位于第二衬底基板之中的凹槽、和键合金属层;第一射频前端组件至少部分位于凹槽之内;第一衬底基板和第二衬底基板相对设置,第二衬底基板靠近第一衬底基板的表面包括位于凹槽之内的凹槽表面和位于凹槽之外的衬底表面;键合金属层包括位于凹槽表面的第一金属部分和位于衬底表面的第二金属部分;第一射频前端组件被第一金属部分至少部分包围,第二金属部分与金属键合结构键合。由此,该射频前端模组具有成本低,体积小等优点。 | ||
搜索关键词: | 射频 前端 模组 及其 制作方法 通讯 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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