[发明专利]用于半导体功率模块的金属衬底结构和制造金属衬底结构的方法以及半导体功率模块在审
| 申请号： | 202280019343.5 | 申请日： | 2022-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN116941031A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | D·吉隆;H·拜尔;R·埃巴尔 | 申请（专利权）人： | 日立能源瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王其文;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种用于半导体功率模块的金属衬底结构(10)包括金属顶层(11)，该金属顶层具有由金属顶层(11)的边缘(14)限制的至少一个凹部，其中，金属顶层(11)进一步包括在与边缘(14)邻近的区域中的至少一个应力释放结构。金属衬底结构(10)进一步包括金属底层(13)和介电层(12)，该介电层与金属顶层(11)和金属底层(13)两者联接并且相对于堆叠方向(A)形成在两者之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 功率 模块 金属 衬底 结构 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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