[发明专利]成像设备和测距系统在审
| 申请号： | 202280019409.0 | 申请日： | 2022-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN116941040A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 富樫秀晃;泷本香织;濑上雅博;中川庆;河合信宏 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘彬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种成像设备(1)，包括半导体基板(66)、第一像素阵列(11)、第二像素阵列(12)和控制单元(40)。第一像素阵列(11)设置在半导体基板(66)上并且具有其中按顺序叠层第一电极(77)、光电转换层(79)和第二电极(80)的叠层结构。在第一像素阵列(11)中，二维地布置有用于对包括可见光范围的第一波长范围的光进行光电转换的第一光接收像素(13)。第二像素阵列(12)具有用于对包括红外光范围的第二波长范围的光进行光电转换的第二光接收像素(14)的二维阵列，第二光接收像素(14)被设置在半导体基板(66)的厚度方向上与第一光接收像素(13)重叠的位置处。控制单元(40)基于通过第一像素阵列(11)的光电转换获得的信号来驱动控制第二像素阵列(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 设备 测距 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司，未经索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202280019409.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
