[发明专利]半导体纳米粒子的制造方法、半导体纳米粒子及发光器件在审
| 申请号： | 202280019489.X | 申请日： | 2022-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN116941051A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 鸟本司;龟山达矢;桑畑进;上松太郎;五十川阳平;小谷松大祐;久保朋也 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东海国立大学机构;国立大学法人大阪大学;日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供显示出带边发光、且显示出高带边发光纯度的半导体纳米粒子的高效的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：对包含银(Ag)盐、铟(In)盐、具有镓(Ga)‑硫(S)键的化合物、镓卤化物、以及有机溶剂的混合物进行热处理而得到第1半导体纳米粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 粒子 制造 方法 发光 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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