[发明专利]一种低栅泄漏电流的增强型GaN HEMTs及其制备方法在审
| 申请号： | 202310001098.1 | 申请日： | 2023-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN116169169A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 胡壮壮;王登贵;周建军;孔岑;孔月婵;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 林静 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低栅泄漏电流的增强型GaN HEMTs及其制备方法，所述GaN HEMTs包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源接触电极、漏接触电极、基于p‑GaN的自对准T型栅控结构和钝化层，基于p‑GaN的自对准T型栅控结构包括P‑GaN帽层、栅钝化层和栅极金属；缓冲层、沟道层、势垒层和P‑GaN帽层自下而上依次设置在衬底上，源接触电极和漏接触电极均设置在势垒层的部分上表面，且分别位于基于p‑GaN的自对准T型栅控结构的两侧，栅极金属设置在P‑GaN帽层的部分上表面，栅钝化层设置在P‑GaN帽层剩余部分上表面和势垒层剩余部分上表面，钝化层设置在栅钝化层的上表面。本发明不仅能够有效减小正向高栅压下的栅泄露电流，同时有效规避额外栅电容的引入，获得高可靠性的栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 泄漏 电流 增强 gan hemts 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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