[发明专利]分辨率可调的垂直结构Micro/Nano-LED阵列芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310002218.X | 申请日： | 2023-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN116154074A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;周千禧 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/42;H01L33/40;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 詹艺 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了分辨率可调的垂直结构Micro/Nano‑LED阵列芯片及其制备方法。本技术方案中，采用将传统大尺寸的LED外延层刻蚀成Micro/Nano‑LED阵列，并将其包裹在绝缘层中，在Micro/Nano‑LED阵列两端做接触电极，形成垂直结构芯片。该结构可以保证每个Micro/Nano‑LED与电极之间形成良好的欧姆接触，同时实现均匀发光。本Micro/Nano‑LED芯片为垂直结构，电极分布在两端，可以极大减少有源区的电流聚集效应，提高Micro/Nano‑LED的内量子效率，同时，n‑GaN侧采用高反射率的金属做电极，可以提高Micro/Nano‑LED的光提取效率。本结构的另一大优势是可以通过改变p型电极之间Micro/Nano‑LED阵列分区的大小，实现不同的显示分辨率。本结构可以通过逻辑电路控制不同n型电极与p型电极的接通和断开，从而实现调控不同Micro/Nano‑LED阵列分区的发光。 | ||
| 搜索关键词： | 分辨率 可调 垂直 结构 micro nano led 阵列 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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