[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202310003905.3 | 申请日： | 2023-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN116613160A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 窪内源宜 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;严美善 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法。在层间绝缘膜的接触孔的底部形成硅化物层的情况下，能够在接触孔内良好地形成金属膜。具备：半导体基板；设置于半导体基板的上表面侧的多个沟槽；埋入到多个沟槽的内侧的绝缘栅型电极构造(6、7)；层间绝缘膜(20)，其设置于半导体基板和绝缘栅型电极构造(6、7)的上表面；以及硅化物层(31)，其设置于贯通层间绝缘膜(20)的接触孔(20a)的底部，与半导体基板的夹在相邻的沟槽(11)之间的上表面相接，其中，硅化物层(31)的下表面(31a)的至少一部分位于比层间绝缘膜(20)的下表面(20b)靠上侧的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
