[发明专利]一种3D光子晶体调控的激光芯片及制备方法有效

专利信息
申请号: 202310010440.4 申请日: 2023-01-05
公开(公告)号: CN115693402B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 周少丰;丁亮;刘鹏;陈华为;黄良杰 申请(专利权)人: 深圳市星汉激光科技股份有限公司
主分类号: H01S5/20 分类号: H01S5/20;H01S5/22;H01S5/00;B82Y40/00
代理公司: 武汉瑞创星知识产权代理事务所(普通合伙) 42274 代理人: 曹雄
地址: 518100 广东省深圳市宝安区福海*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种3D光子晶体调控的激光芯片,包括沿着芯片外延生长方向依次为衬底层、下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、上限制层、脊波导;以及3D光子晶体,所述3D光子晶体为多个纳米球形结构,分布在所述脊波导的两侧;以及围坝,所述围坝设置在所述激光芯片的边缘,所述围坝、所述上限制层的表面以及所述脊波导的侧面组成凹槽,所述3D光子晶体填充所述凹槽。该结构通过刻蚀脊形波导的过程,同时在脊两侧形成围栏;利用纳米球旋涂自组装技术在沟槽里面形成分段3D光子晶体。从而起到类似侧壁光栅的效果,有效的提高了激光芯片的光斑特性,实现半导体激光器窄线宽、波长可调谐等特性。
搜索关键词: 一种 光子 晶体 调控 激光 芯片 制备 方法
【主权项】:
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