[发明专利]一种晶圆背面激光切割方法及晶圆有效
| 申请号： | 202310011048.1 | 申请日： | 2023-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN115922109B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 唐义洲 | 申请（专利权）人： | 成都功成半导体有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/70;H01L21/78;H01L21/268 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 吴桂芝 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆背面激光切割方法及晶圆，属于半导体加工技术领域，包括以下步骤：对载片和/或晶圆进行热氧生长；对载片、晶圆进行键合处理、退火处理，得到键合片；对键合片进行背面金属沉积得到金属层，并进行激光退火；对键合片进行背面激光划片处理；对键合片进行解键合处理。采用生长有热氧的载片和/或晶圆进行键合并退火形成永久键合，进行激光划片处理等操作时晶圆均处于键合状态，且解键合后无需在晶圆上进行工艺制程，避免了激光划片等对晶圆正面的影响，保证了晶圆的洁净度，进而保证了工艺良率；同时，相较于减薄后的单片晶圆，与载片键合的晶圆具有更强的机械强度，避免了碎片风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 激光 切割 方法 | ||
【主权项】：
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