[发明专利]磁性存储单元及其制备方法、磁性存储阵列、存储器在审
| 申请号： | 202310012165.X | 申请日： | 2023-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN116056549A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 商显涛;王文文;孙慧岩;秦颖超;卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 | 申请（专利权）人： | 致真存储（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01;H10B61/00;H10N50/85 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 魏梳芳 |
| 地址： | 100191 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性存储单元及其制备方法、磁性存储阵列、存储器，涉及磁性存储器技术领域。本发明的一种磁性存储单元，包括依次堆叠的底电极、第一自由层、第二自由层、隧穿层和参考层，其中，所述第一自由层通过至少一种磁性材料与至少一种非磁性材料多靶共溅射形成；第二自由层通过磁性材料溅射形成。本发明的磁性存储单元，共溅射形成第一自由层，能有效降低自由层总饱和磁化强度Ms且不降低器件的隧穿磁阻MR。因翻转电流Ic和Ms正相关，从而有效降低翻转电流，降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储 单元 及其 制备 方法 阵列 存储器 | ||
【主权项】：
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