[发明专利]一种改善SGT产品多晶形貌的制造方法在审
| 申请号： | 202310015042.1 | 申请日： | 2023-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN115985954A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张熠鑫;贾国;苏晓山;王大明;卢昂 | 申请（专利权）人： | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 王建成 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种改善SGT产品多晶形貌的制造方法，包括如下步骤：进行沟槽刻蚀，所述沟槽设置一拐点，所述拐点下部用于容纳多晶，所述拐点上部的沟槽宽度大于所述拐点下部的沟槽宽度；对沟槽依次进行氧化和多晶沉淀，然后进行退火处理；进行多晶刻蚀，形成多晶预期形貌；对整体结构进行氧化处理，使多晶异常部位完全氧化，并对产生的氧化层进行取出，得到多晶最终形貌。本申请技术方案解决了现有的SGT MOSFET多晶表面不平整导致产品失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 sgt 产品 多晶 形貌 制造 方法 | ||
【主权项】：
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