[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310016507.5 | 申请日： | 2023-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN116936339A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 林伯融;刘嘉哲 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;黄健 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括碳化硅衬底、成核层以及氮化镓层。碳化硅衬底具有第一厚度T1。成核层位于碳化硅衬底上且具有第二厚度T2。成核层由氮化铝镓所构成，且第二厚度T2为符合T1*0.002％至T1*0.006％的范围内的厚度。氮化镓层位于成核层上且与碳化硅衬底间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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