[发明专利]一种碳化硅外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310026807.1 | 申请日： | 2023-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN115910755A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 孙国峰;浩瀚;赵新田;周勋;饶威;黄晓阳 | 申请（专利权）人： | 宁波合盛新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 宁波聚禾专利代理事务所(普通合伙) 33336 | 代理人： | 马芳兰 |
| 地址： | 315300 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳化硅外延片及其制备方法。其中，碳化硅外延片的制备方法包括以下步骤：S100，在氢气环境下，对碳化硅衬底进行高温退火；S200，对步骤S100得到的碳化硅衬底进行液相外延，得到具有第一外延层的碳化硅片；S300，在碳化硅片的第一外延层上采用CVD法进行第二外延层的生长，获得碳化硅外延片。本发申请通过在衬底上增加退火及液相生长过程，可有效的减少加工过程带来的衬底缺陷及衬底损伤，在此衬底上可直接进行外延工艺，并通过外延工艺的改进生长出缺陷很少的外延片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
