[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
| 申请号： | 202310032714.X | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN116453972A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 桥本伦人;大野哲宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 崔今花;周艳玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开基板处理装置及基板处理方法。本发明的基板处理装置包括：真空腔室，用于对保持在载体上的基板实施真空处理；立式运送机构，用于使所述基板和所述载体立起并运送；和颗粒去除机构，用于去除附着在所述载体和所述基板上的颗粒，所述颗粒去除机构具备：喷出喷嘴，用于向由所述立式运送机构运送的所述载体和所述基板喷出空气；和抽吸喷嘴，用于抽吸向所述载体和所述基板喷出的空气。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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