[发明专利]一种非水沉淀工艺制备氮化硅超细粉的方法在审
| 申请号： | 202310038534.2 | 申请日： | 2023-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN115849313A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 冯果;江峰;胡紫;刘健敏;梁健;苗立锋;张权;胡庆;吴倩;张筱君 | 申请（专利权）人： | 景德镇陶瓷大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B82Y40/00 |
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| 地址： | 333403 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开一种非水沉淀工艺制备氮化硅超细粉的方法，包括如下步骤：步骤一：将硅源溶解于非水溶剂中，并加入分散剂制得溶液A；步骤二：向步骤一的溶液A中以一定方式加入沉淀剂，再以一定方式促进沉淀反应制得沉淀料浆B；步骤三：对步骤二的沉淀料浆B以一定方式脱除溶剂和副产物，制得沉淀料浆C；步骤四：对步骤三的沉淀料浆C以一定方式进行热处理，制得粒径为50～200nm的氮化硅超细粉体。本发明在降低氮化硅粉体合成温度的同时，有效避免的杂质的引入对粉体和最终陶瓷制品质量和性能的影响，因此具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沉淀 工艺 制备 氮化 硅超细粉 方法 | ||
【主权项】：
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