[发明专利]一种3D NAND晶圆切割工艺在审
| 申请号： | 202310041476.9 | 申请日： | 2023-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN115954267A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张力;李子悦;何洪文 | 申请（专利权）人： | 合肥沛顿存储科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司： | 东莞市中正知识产权事务所(普通合伙) 44231 | 代理人： | 徐康 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市经济技术开发区合肥空港*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种3D NAND晶圆切割工艺，涉及晶圆切割技术领域；包括如下步骤：取待加工的晶圆，晶圆背面为硅衬底，晶圆正面为电路层；晶圆正面设置有若干切割道用于晶粒分离；将玻璃载板1粘贴在晶圆正面的电路层上；对晶圆硅衬底进行减薄处理；在玻璃载板2上面事先承压一层粘接膜，将硅衬底压合到粘接膜上面；去除玻璃载板1；使用光刻工艺在晶圆表面涂光阻、曝光、显影。本发明针对工艺流程进行创新，使用湿法和干法蚀刻技术来实现超厚表面电路层的晶圆切割；由于有载板做支撑，理论上可以将晶圆厚度减薄到极限，例如硅衬底厚度降低到10um；比现有常规晶圆研磨减薄工艺最小30um极限厚度要更薄。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 切割 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
