[发明专利]一种左旋核酸适体修饰的电极及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202310043339.9 | 申请日： | 2023-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN116172553A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 江迎;毛兰群;李欣 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | A61B5/1473 | 分类号： | A61B5/1473;A61B5/145;A61B5/00;G01N27/327 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 赵晓丹 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种左旋核酸适体修饰的电极及其制备方法和应用，所述电极包括基础电极和通过第一共价键修饰在基础电极表面的多巴胺或其衍生物；所述多巴胺或其衍生物通过第二共价键结合多巴胺的左旋核酸适体。该电极不受温度、湿度及时间等因素影响，可以在复杂环境中保持与多巴胺的高特异性、高亲和力，且左旋核酸适体可以抵抗核酸酶，适用于活体长期植入，进而能够实现在复杂动物模型动物中原位、高特异性、高稳定性及高时空分辨的多巴胺检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 核酸 修饰 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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