[发明专利]一种高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202310054306.4 申请日: 2023-02-03
公开(公告)号: CN116102352B 公开(公告)日: 2023-10-10
发明(设计)人: 刘迎春;杨彬;张洪军;于思源;边浪;曹文武 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622;C04B41/88
代理公司: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 代理人: 姜欢欢
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于储能材料制备领域。本发明的目的是为了解决现有储能陶瓷材料无法兼顾优异的温度稳定性、抗疲劳性和低电场高储能密度的储能特性的技术问题。本发明的储能陶瓷的化学通式为xNaNbO3‑(1‑x)(Bi0.5‑yRyNa0.5)TiO3‑zMe,其中0.1≤x≤1,0.05≤y≤0.25,0≤z≤0.1,R是稀土离子,Me是生长助剂。方法:以NN‑BRNT细晶为基体,以径向比5的NN片状微晶为模板,采用模板晶粒定向生长技术,在生长助剂的作用下,制备沿[001]择优取向的高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷。
搜索关键词: 一种 疲劳 电场 高储能 密度 反铁电储能 陶瓷 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310054306.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top