[发明专利]一种高选择性蚀刻掺杂氧化硅/碳氮化硅的蚀刻液在审
申请号: | 202310054778.X | 申请日: | 2023-02-03 |
公开(公告)号: | CN116103047A | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 武昊冉;张庭;贺兆波;李金航;叶瑞;李鑫;徐子豪 | 申请(专利权)人: | 湖北兴福电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C09K13/08 | 分类号: | C09K13/08 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 成钢 |
地址: | 443007 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种高选择性蚀刻掺杂氧化硅/碳氮化硅的蚀刻液,掺杂氧化硅包括磷硅玻璃、硼磷硅玻璃,主要的活性成分为氢氟酸、氟化铵、活性添加剂以及超纯水。本发明的蚀刻液中氢氟酸起到蚀刻的作用,氟化铵主要发挥缓冲的作用。表面活性剂降低溶液表面张力,增加对于固体表面的浸润性,在碳氮化硅表面形成一层保护膜,抑制了碳氮化硅的蚀刻,提高了掺杂氧化硅的蚀刻速率。两种添加剂的复配使用,不仅溶液界面张力低而且还具有良好的消泡性能,在蚀刻过程中不易产生气泡,提高了蚀刻的均匀性,降低了蚀刻后片子表面的粗糙度。蚀刻液选择比≥850;蚀刻后PSG薄膜表面平整,粗糙度Ra1.40nm。 | ||
搜索关键词: | 一种 选择性 蚀刻 掺杂 氧化 氮化 | ||
【主权项】:
暂无信息
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