[发明专利]单硅片上集成制造四种电化学敏感电极的MEMS芯片及制造方法在审
| 申请号： | 202310056111.3 | 申请日： | 2023-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN115947297A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王军波;孙振宇;齐文杰;陈德勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空天信息创新研究院 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 金怡 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种单硅片上集成制造四种电化学敏感电极的MEMS芯片及制造方法。其芯片包含基底、贯穿基底的流孔、绝缘层、第一阳极、第一阴极、第二阳极、第二阴极。其中，绝缘层均匀分布在基底表面和流孔内壁上。第一阳极和第一阴极间隔分布在上表面绝缘层，后者还分布在上内壁绝缘层上。第二阳极和第二阴极间隔分布在下表面绝缘层上，后者还分布在下内壁绝缘层上。在流孔内壁的第一阴极和第二阴极由中间的绝缘区隔开。本发明提出的芯片同时集成制造四种电极，相当于两片集成两电极的芯片的组合，可以减少芯片的消耗，降低生产成本。此外，芯片加工误差取决于设备对准误差，流孔和电极图形对准精度高。电极检测灵敏度高，性能一致性好。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 集成 制造 电化学 敏感 电极 mems 芯片 方法 | ||
【主权项】：
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