[发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202310060010.3 | 申请日： | 2023-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN116230768A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 臧春和;王斌 | 申请（专利权）人： | 光子集成（温州）创新研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安迪业欣知识产权代理事务所(普通合伙) 61278 | 代理人： | 刘妍 |
| 地址： | 325011 浙江省温州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法和应用，场效应晶体管包括金属栅极、绝缘层、半导体基底和金属电极；金属栅极的同一侧表面上设置多个凸起，多个凸起的一端连接在一起；绝缘层设置于金属栅极带有多个凸起的表面上；半导体基底上开设有凹槽，金属栅极设置于凹槽内，且绝缘层与凹槽相接，凹槽的形状与金属栅极带有多个凸起的表面的形状相匹配；金属电极设置于半导体基底上。本发明利用不同绝缘层的界面结构对沟道的影响，制备出新型的晶体管结构：一个栅极、一个源极、多个漏极，有多路电流的输出，在将其用作电子开关时，能控制多条开关支路，控制效率高，适用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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