[发明专利]双PN结结构的垂直入射光电探测器及半导体设备

摘要

本发明提供了一种双PN结结构的垂直入射光电探测器及半导体设备，光电探测器包括：衬底层；吸收层，其形成在所述衬底层上；两个n型掺杂区，通过对所述衬底层进行n掺杂形成，并位于所述吸收层相对的两侧；两个p型掺杂区，通过对所述衬底层进行p掺杂形成，并位于所述吸收层相对的另两侧；其中，相邻的n型掺杂区和p型掺杂区均形成pn结四个电极，分别设置在4个掺杂区上。本发明由于采用四个电极结构，增强了在吸收层上的电场的分布，同等电场下减小了供电电压，同时相邻的n型掺杂区和p型掺杂区均形成pn结，增加了结面积，即增加了吸收层的有效吸收区域的面积。