[发明专利]一种高温保护的GaN/SiC共源共栅开关器件在审
| 申请号： | 202310066043.9 | 申请日： | 2023-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN116133502A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 余晨辉;王鑫;祖源泽;成田恬;王奕锦;罗曼 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H10N19/00 | 分类号： | H10N19/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张佴栋 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市崇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高温保护的GaN/SiC共源共栅开关器件，包括高压低频耗尽型的SiC JFET器件、低压高频增强型的GaN HEMT器件以及连接SiC JFET器件和GaN HEMT器件并集成封装在同一基板上的热释电器件；其中，所述热释电器件包括自发极化的热释电复合材料层。本发明利用热释电器件对温度变化敏感的热释电效应和共源共栅开关器件工作在高频、高压、大电流的环境中自身产生的热量，避免共源共栅器件中SiC JFET器件发生热失控或者GaN/SiC共源共栅开关器件发生短路时GaN HEMT器件被击穿，保护电路中的共源共栅开关中的SiC JFET器件和GaN HEMT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 保护 gan sic 共源共栅 开关 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通大学，未经南通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310066043.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
