[发明专利]扩散阻挡层及其制备方法、集成电路Cu互连结构有效
| 申请号： | 202310066518.4 | 申请日： | 2023-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN115939035B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 卢金德;贾晓峰;庄琼阳;陈献龙 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 秦冉冉 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种扩散阻挡层及其制备方法、集成电路Cu互连结构，扩散阻挡层的材料包括高熵合金及其氮化物，实现扩散阻挡层结构热力学和机械的稳定性，抵抗长期服役过程中的晶格缺陷所造成的扩散阻挡失效的问题，提高集成电路中Cu互连结构的可靠性。扩散阻挡层自第一侧至第二侧氮含量逐渐降低，减少了扩散阻挡层中的晶界，阻断了Cu向基体扩散的通道。扩散阻挡层的第一侧的氮含量较高，材料性质和热膨胀系数更接近于衬底，第二侧的氮含量较低，材料性质和热膨胀系数更接近于Cu层，因此能够提高层间结合力，并且梯度变化单层膜结构有效消除因不同材料间热膨胀系数差异较大所造成的服役过程中界面分层、出现孔洞失效等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 阻挡 及其 制备 方法 集成电路 cu 互连 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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