[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310074651.4 | 申请日： | 2023-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN116207615A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 程斌;汪福进;白俊春;贾永 | 申请（专利权）人： | 江苏芯港半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/183 |
| 代理公司： | 西安百鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 61295 | 代理人： | 魏磊 |
| 地址： | 221200 江苏省徐州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1)、在衬底(1)上生长二维六方氮化硼层(2)；2)、在二维六方氮化硼层(2)上溅射AlN层(3)；3)、在AlN层(3)上依次制作N型GaN层(4)、多量子阱层(5)、P型GaN层(6)和顶部DBR层(7)，形成外延结构；4)、使顶部DBR层(7)与铜衬底(8)相接触以将外延结构倒装键合在铜衬底(8)上；5)、将热释放胶带紧贴于衬底(1)上，将衬底(1)和二维六方氮化硼层(2)从AlN层(3)上剥离掉；6)、在AlN层(3)上溅射底部DBR层(9)。其采用热释放胶带进行剥离，剥离工艺简单，且对外延结构无损伤；通过引入AlN层，改善了外延材料的生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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